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Si7170DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
70
5
56
42
2 8
V GS = 10 V thr u 4 V
4
3
2
T C = 125 °C
T C = 25 °C
V GS = 3 V
14
0
1
0
T C = - 55 °C
0
1 2 3 4
5
0
1 2 3 4
5
0.0040
0.0036
0.0032
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
5500
4400
3300
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.002 8
V GS = 10 V
2200
0.0024
0.0020
1100
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V DS = 10 V
I D = 15 A
8
V DS = 15 V
1.5
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 20 V
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
14
2 8
42
56
70
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69981
S11-1650-Rev. C, 15-Aug-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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